无线电电子学论文_“双碳”目标下三代半导体的

文章目录

0 引言

1 GaN进展分析

2 SiC进展分析

3 新型半导体材料进展

文章摘要:第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料。通过大力发展第三代半导体,尤其是目前大量应用的碳化硅和氮化镓,以及探索新一代半导体材料,对支撑碳达峰、碳中和意义重大。

文章关键词:

论文DOI:10.14176/j.issn.1001-3474.2022.01.002

论文分类号:TN30

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